일반기술

보호막을 구비한 수직형 반도체 발광소자 및 제조방법

□ 기술개요 해당 기술은 수직형 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 기판과 상기 기판 상면에 순차적으로 형성된 제1질화물 반도체층, 활성층 및 제2질화물 반도체층을 포함한 발광소자에 웨이퍼 본딩을 통하여 뒷면의 성장을 위한 기판을 제거하는 것에 대한 것이다.해당 기술은 특히 웨이퍼 본딩공정에서 칩의 손상에 의한 수율 저하 방지와 반사메탈 면적을 늘려 주어 광 추출이 향상된 반도체 발광소자를 제공한다.□ 기술의 특징- 해당 기술은 웨이퍼 본딩 메탈 증착 전에 보호막을 형성 함으로써 칩의 단락을 방지하고 본딩 공정의 수율 향상과 반사 메탈을 증대시켜 발광소자의 광 추출 효율을 크게 증대 시킨다.- 해당 기술에의하면 본딩 전에 보호막을 형성 하여 줌으로써 본 공정이나 이후 칩 가공시에 발생 될 수 있는 칩의 단락문제를 해결 할 수 잇으며, 반사 메탈을 크게 할 수 잇어 광 추출을 증대 시킬수 있다. 특히 본딩 웨이퍼간에 발생되는 응력을 완화 할 수 있는 구조를 가지게 되어 본딩 공정에서 발생되는 웨이퍼의 손상을 방지하여 칩 수율을 향상 시킬 수 있다.