일반기술

실리콘 기반 질화물계 반도체 발광다이오드 제조방법 및 이에 따른 발광 다이오드

해당 기술은 실리콘 기반 질화물계 반도체 발광다이오드 제조방법 및 이에 따른 발광 다이오드에 관한 것으로서, 특히 실리콘 기판을 기용한 질화물계 발광다이오드 제작에 있어서 기판의 일부를 식각하여 금속 반사막을 증착함으로서 발광다이오드의 전기적 특성과 발광효율을 높이는 발광다이오드 제조방법에 관한 것이다.- 해당 기술의 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법은 기판 상부에 질화물계 발광다이오드를 성장시키는 단계, 기판 하부에 반사막을 증착하는 단계를 포함한다. 실리콘 기반 질화물계 발광다이오드는 전력소모를 줄이고 고휘도 구현을 가능하게 한다.- 해당 기술은 값싸고 대형 사이즈가 가능한 실리콘 기판을 이용하여 질화물계 발광다이오드를 제조함으로서 저가형 발광다이오드를 제작가능한 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.- 해당 기술은 고반사율 반사막에 의한 추출효율이 증가되고, 오믹 반사 금속에 의한 작동전압 감소한다.- 해당 기술은 실리콘과 질화물의 접합은 두 재료의 에너지 갭차이가 크므로 동작전압이 높게 되는데 질화물계 재료가 금속과 직접 전기접촉을 함으로서 전기저항을 낮추므로 동작전압의 감소효과도 볼 수 있다.