일반기술

웨이퍼 본딩공정을 이용한 실리콘기반 발광다이오드 제조방법

해당 기술은 저가형 대면적 갈륨 질화물 칩 제조 기술에 관한 것으로서, 특히 실리콘 기반 질화반도체의 웨이퍼 본딩 기술에 관한 것이다. 패터닝된 실리콘 기판위에 질화물 반도체를 성장시킨 후 웨이퍼 본딩 기술을 이용하여 결합시킨 후 질화반도체가 성장된 실리콘 기판을 제거하여 칩사이즈로 분리된 갈륨 질화물계 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.- 해당 기술은 패터닝된 실리콘 기반을 질화물 반도체 위에 오믹 및 반사 금속과 본딩 금속이 증착된 금속 박막을 이용하고, 캐리어 웨이퍼에 본딩 금속을 증착하여 두 개의 웨이퍼를 금속면이 마주보게 본딩하는 방법이다. 그 후에 질화물 반도체가 증착된 실리콘 기판을 제거함으로써 칩 사이즈로 분리 제작된 저가형 질화물 반도체 구현이 가능한 방법이다.- 해당 기술은 질화물 반도체에 전류 주입을 통한 발광에 있어서, 고반사 금속박막을 통해 발광되는 빛을 반사를 시킴으로써, 광출력 향상에 기여 할 뿐만 아니라, 질화물 반도체 발광소자의 외부추출효율을 향상시킬 수 있는 방법이다.