일반기술

동종기판의 표면 형상을 이용한 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법

해당 기술은 갈륨 질화물의 성장 시 사용되는 기판의 재질 등을 개량하여 빛의 외부로의 방출 효율을 극대화시키는 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.- 해당 기술은 반도체 발광소자의 클래드층을 형성하는 갈륨질화물을 성장할 때 사용되는 기판으로 클래드층과 물성이 같은 동종기판을 사용하고 상기 기판의 표면에 요철을 형성하여, 기존 기판과 반도체층 사이의 광자의 산란 및 소자 경계면에서의 광자의 전반사를 줄여 발광 효율이 향상된 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.- 해당 기술은 반도체 클래드층과 기판 사이의 광자의 산란이 줄어들고, 광자가 전반사되지 않고 외부로 방출되는 확률이 커져 반도체 발광소자의 발광 효율이 향상된다.- 냉금물질의 부착으로 반도체 발광소자가 동작할 때 발생하는 열이 효율적으로 방열되어 반도체 발광소자의 신뢰성이 향상된다.-반도체 발광소자는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체소자로서, 반응속도, 전력소모, 발열 등의 제반특성이 기존 기술의 광원에 비해 매우 우수하여 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다.