일반기술

경사식각된 발광다이오드 및 그 제조방법

해당 기술은 발광다이오드와 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게 는 구조적으로 발광다이오드의 발광층에서 생성된 광자의 내부 전반사율 을 낮추고, 발광다이오드에서 바람직하지 못한 방향으로 방출된 광자를 다시 재반사하여 원하는 방향으로 방출되도록 유도함으로써 광추출효율을 향상시키는 고효율의 발광다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.- 해당 기술은 발광다이오드와 그 제조방법에 관한 것으로서, 발광층에서 생성된 광자의 내부 전반사율을 낮추는 소정의 형상으로 성형된 칩을 포함하고, 상기 성형된 칩에서 탈출한 광자를 윗 방향으로 재반사하도록 상기 성형된 칩의 표면에 반사용 금속을 증착하는 것을 포함한다. 이를 위하여 기판 위의 에피택셜층을 식각할 때 칩을 일정한 각도로 기울인 상태에서 식각하여 기울어진 경사면이 포함된 칩 형상으로 구성하고 있다.- 해당 기술은 칩 형상의 경사진 변형을 통하여 발광층에서 방출된 광자의 칩 내부에서의 전반사율을 낮추고 옆면으로의 부분 투과율을 높여 전체적으로 광추출효율을 증가하는 효과가 있다.- 해당 기술은 투과방향이 불규칙하여 유실될 수 있는 광자를 반사용 금속을 사용하여 바람직한 방향으로 광자가 방출될 수 있도록 재반사함으로써 광추출효율을 증가하는 효과가 있다.- 해당 기술을 이용하여 생산되는 발광다이오드는 광추출효율이 증가되어 그 효율성과 품질의 면에서 향상된 고부가가치의 신뢰성 있는 제품을 제공하는 효과를 가지게 되는 것이다.