일반기술

실리콘 기판 3족 질화물계 적층구조를 가지는 발광다이오드 및 그 제작방법

해당 기술은 스텝을 이용한 실리콘 기판 3족 질화물계 적층구조를 가지는 발광다이오드 및 그 제작방법에 관한 것으로서, 특히 패터닝된 실리콘 기판 위에 질화물계 발광다이오드 구조를 성장시킨 후 표준 노광 공정(standard lithography process)과 식각공정을 이용하여 전류의 밀집(electron crowding)을 억제하기 위해 계단형태의 스텝을 지니는 발광다이오드에 관한 것이다.해당 기술은 패터닝된 실리콘 기판 위에 갈륨 질화물 박막을 성장 과정에서 박막 내의 결정결함과 응력을 줄여주어 칩사이즈로 분리된 갈륨 질화물 구조의 발광다이오드 및 그 제작방법을 제공한다.- 해당 기술에의하면 전류의 밀집(electron crowding)을 억제하기 위해 계단형태의 스텝을 만들어 전류분포를 확장시킴으로써, 역방향 전류 특성을 향상 시킬 수 있다. 또한, 기판으로 실리콘 웨이퍼를 사용하기 때문에 대면적 갈륨 질화물 결정성장이 가능하다.