일반기술

수평 방향 반도체 피엔 접합 어레이 제조방법

[구성]본 발명은 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CCl4 또는 CBr4 가스를 소량 유입시켜 수평 방향으로 PN 접합 어레이 구조를 제조할 수 있게 한 수평 방향 반도체 PN 접합 어레이 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 수평 방향으로의 PN 접합을 형성할 수가 없었다. 이러한 점을 감안하여, N형 GaAs 기판에 V형 또는 U형의 홈을 형성하고, 이후 상기 N형 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법으로 P형 에피층을 성장시키되, CCl4 또는 CBr4 가스를 유입시켜 수평방향의 P-GaAs/N-GaAs 또는 P-AlGaAs/N-GaAs PN 접합 어레이를 제조함으로써 입사된 광이 손실이 거의 없이 PN 접합부분에 곧바로 도달되고, 광전소자의 효율을 높이거나 낮은 문턱전류의 레이저 다이오드 또는 도파손실이 작은 광도파로의 제작 등에 응용될 수 있게 한 것이다.1. N형 GaAs 기판에 비평면 성장을 이용하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 N형 GaAs 기판에 형성된 홈에만 유기금속화학증착(MOCVD)법으로 에피층을 성장시키되, CCl4 또는 CBr4 중 선택된 하나의 가스를 유입시켜 P형 GaAs 및 P형 AlGaAs 에피층중 선택된 하나의 에피층을 형성함으로써, 수평 방향의 P-GaAs/N-GaAs 및 P-AlGaAs/N-GaAs중 선택된 하나의 PN 접합 어레이를 제조하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN접합 어레이 제조방법.2. 제1항에 있어서, N형 GaAs 기판에 형성된 홈은 V자 및 U자 모양의 패턴중 하나의 패턴에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법.3. 제2항에 있어서, N형 GaAs 기판의 홈은 N형 GaAs 기판 위에 광감광제 및 마스크를 사용하여 사진 식각 방법으로 V자 및 U자 모양중 선택된 하나의 패턴을 형성하고, 이후 습식 에칭법에 의해 에칭시켜 V자 및 U자 모양중 하나의 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법.4. 제3항에 있어서, 상기 습식 에칭법에 H2SO4, H2O2, H2O의 혼합용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법.