일반기술

자기장 처리에 의한 액정배향막의 제조방법

[구성]본 발명은 액정배향성능 및 배향안정성이 우수하며 대량생산이 가능한 간단한 액정배향막 제조방법으로서 투명전극위에 열가소성 고분자에 의한 고분자막을 두께가 5Å 이상이 되도록 코팅시키는 단계, 상기 고분자막이 코팅된 두 장의 투명전극을 서로 부착하고 그 사이에 액정을 주입하여 유리/투명전극/고분자막/액정/고분자막/투명전극/유리의 구조를 가지는 임시셀을 만들거나, 또는 상기 고분자막위에 액정을 접촉시켜 유리/투명전극/고분자막/액정의 구조를 가지는 적층기판을 만드는 단계, 상기 임시셀 또는 상기 적층기판을 0.2 테슬러 이상의 자기장을 가하면서 액정과 고분자막의 상혼합온도 이하로 가열하고 방치하는 단계, 상기 임시셀 또는 상기 적층기판을 자기장하에서 100℃/분 이하의 냉각속도로 냉각시키는 단계로 이루어지는 자기장 처리에 의한 액정배향막의 제조방법을 제공한다.1. 액정배향막 제조방법에 있어서,(1) 투명전극위에 열가소성 고분자에 의한 고분자막을 두께가 5Å 이상이 되도록 코팅시키는 단계, (2) 상기 고분자막이 코팅된 두 장의 투명전극을 서로 부착하고 그 사이에 액정을 주입하여 유리/투명전극/고분자막/액정/고분자막/투명전극/유리의 구조를 가지는 임시셀을 만들거나, 또는 상기 고분자막위에 액정을 접촉시켜 유리/투명전극/고부자막/액정의 구조를 가지는 적층기판을 만드는 단계, (3) 상기 임시셀 또는 상기 적층기판을 0.2 테슬러 이상의 자기장을 가하면서 액정과 고분자막의 상혼합온도 이하로 가열하고 방치하는 단계, (4) 상기 임시셀 똔ㄴ 상기 적층기판을 자기장하에서 100℃/분 이하의 냉각속도로 냉각시키는 단계로 이루어지는 자기장 처리에 의한 액정배향막의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 열가소성 고분자는 폴리비닐포름알 [poly(vinyl formal): poly(1,3-dioxa-4, 6-cyclohexylenemethylene)], 폴리비닐부틸알 [poly(vinyl butyral): poly(1,3-dioxa-2-propyl-4, 6-cyclyhexylenemethylene)], 아크릴계 고분자, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체(SAN), 폴리에틸렌 테레푸탈레이트, 폴리카보네이트, 비결정성나일론 및 실리콘계 고분자로 이루어지는 군중에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 자기장 처리에 의한 액정배향막 제조방법.

기술정보

기술분류
재료 > 기타 고분자재료
보유기관
한국과학기술연구원
기술유형
일반기술
등록일
2001-01-17
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

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