일반기술

방사선전지의 전하량 증가방법과 이를 이용한 고효율 구조 베타전지

실리콘 웨이퍼의 표면에 고효율 구조의 횡방향으로 구성된 미세간격의 빗살(Comb)형 pn접합 다이오드와 다이오드 전체 표면에 절연체를 위치시키고 그 위에 63Ni 등의 방사성 동위원소를 배치 한 고효율의 방사선 전지해당 기술은 방사선전지의 전하량 증가방법과 이를 이용한 고효율 구조 베타전지에 관한 것으로, 그 목적은 기존 전지에 비해 구조를 개선함으로서 높은 효율의 안정적인 장수명의 방사선전지의 구현을 제공함에 있다.해당 기술은 실리콘 웨이퍼의 표면에 고효율 구조의 횡방향으로 구성된 미세간격의 빗살(Comb)형 pn접합 다이오드와 다이오드 전체 표면에 전지의 안정성을 향상시킨 절연체를 위치시키고, 절연체 위에 pn접합 다이오드 상부에 해당하는 면적에 63Ni 등의 방사성 동위원소를 배치하도록 하여 동위원소층에서 발생된 방사선의 비준거리가 절연체와 하부의 pn접합 다이오드의 공핍층과 근사시킴으로서 방출 방사선에 의해 다이오드 내부에서 생성된 전하를 충분히 활용한 고효율의 방사선 전지를 구현한 것이다. 둥위원소는 Ni외에 H 등의 저에너지 베터선을 방생시키는 원소를 사용할 수 있게 하고, pn 층의 형성 방법에 있어 미세 간격의 빗살(Comb)형을 유지하며, 이 pn 층을 실리콘 웨이퍼 전후면에 이중으로 형성시킴으로서 방사선에 의한 전하의 생성을 최대화하기 위한 구조를 특징으로 한다.출원번호 : 2007-0103963