일반기술

수직입사형 100% Ge on Si 광검출 소자 (PIN PD) 기술

□ 기술개요해당 기술은 silicon substrate 위에 100% Ge 에피 성장하고, 이를 이용한 Vertical illlumination (Normal Incidence), PIN type의 광검출 소자를 제작하는 chip 기반기술이다.지식경제부의 원천기술개발 정책지정 사업인 “실리콘기반 초고속 광인터커넥션 IC” 과제 수행의 일환으로 연구 개발된 100% Ge on Silicon 광검출소자(PD) 신기술은 silicon 기반의 장점, 즉 초저가, 고신뢰성, Si COMS IC와의 compatibility과 더불어 초고속 고응답도 등의 장점을 겸비하는 신소자 기반기술이다. 이러한 100% Ge on Silicon 광검출소자 chip기술 개발의 결과를 기술이전을 통한 상용화의 시도를 통해 산업체 매출을 증대하고 광통신, 광컴퓨터, 센서 등 다양한 응용 분야에서의 신시장을 확대하는 데 목적이 있다.□ 기술의 특징100% Ge on Silicon 광검출 소자 기술은 silicon 기반의 장점, 즉 초저가, 고신뢰성, Si COMS IC와의 compatibility과 더불어 초고속, 고응답도 등의 장점을 겸비하는 신소자 기반기술이다. 이러한 100% Ge on Silicon 광검출 소자 (PIN PD) chip 기술 개발의 결과를 기술이전을 통한 상용화의 시도를 통해 산업체 매출을 증대하고 광통신, 광컴퓨터, 센서 등 다양한 응용 분야에서의 신시장을 확대하고 선점하는데 목적이 있으며, 현재 미국 Intel등이 신기술로 상용화를 추진 중에 있다.□ 기술의 시장성현재 전세계적으로 본 제품이 상용화 된 곳이 없음. 현재 미국 Intel 등이 InGaAs, GaAs PD등을 Ge PD로 대체하려고 하고 있음. 초저가이며 고성능인 신 소자의 시장 선점의 가능성이 높아 앞으로 점차적으로 해가 거듭될수록 시장 전망이 매우 밝음.일 예로, 2011년 receiver 시장규모만도 1,247 M$로 추정됨.