일반기술
레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작 방법
[구성]크롬(Cr)이 코팅된 기판에 포토레지스트(10)를 스핀 코팅한 후레이저 리소그라피 장비로 제1노광을 수행하는 단계와, 제1노광후 제2노광을 한 다음 현상을 하여 제1노광에 의해 성질이 변하지 않은 상기 포토레지스트(10)를 제거하는 단계와, 상기 크롬(2)는 에칭한 후 잔존하는 포토레지스트(10)를 제거하는 단계로이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법.1. 크롬(Cr)이 코팅된 기판에 포토레지스트(10를 스핀 코팅한 후 레이저 리소그라피 장비로 제1노광을 수행하는 단계와, 이 단계 후 제2노광을 한 다음 현상을 하여 제1노광에 의해 성질이 변하지 않은 상기 포토레지스트(10)를 제거하는 단계와, 상기 포토레지스트(10)가 제거된 부분의 크롬(2)을 에칭한 후 잔존하는 포토레지스트(10)를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법.2. 제1항에 있어서, 포토레지스트(10)는 포지티브 포토레지스트가 사용됨을 특징으로 하는 레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법.3. 제1항에 있어서, 제1노광은 444nm 파장을 갖는 He-Cd 레이저를 광원으로 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-01-17
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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