일반기술

실리콘 기판 상에 성장된 GAAS 에피택셜층의 유기 금속 화학 증착법에 의한 델타 도핑 형성 방법

<목적>유기금속화학증착법에 의하여 실리콘기판위에 성장된 GaAs에피택셜층에서 700-750도씨의 성장온도로 델타-도핑을 하는 방법을 제공하는데 있다. <구성>실리콘기판위에 완충층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정;GaAs에피택셜층의 성장을 중단한 상태에서 그 위에 유기금속화학 증착법에 의해 700-750도씨의 성장온도에서 델타-도핑하는 공정;이후 700-790도씨에서 덮개층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정으로 구성한다. <효과>델타-도핑층내의 델타-도핑층에 있는 도우펀트의 열확산이 GaAs/Si계면에서 발생된 전위결합에 의하여 가속되는 것을 방지할 수 있다.1. 실리콘기판위에 완충충으로서의 GaAs 에피택셜층을 성장시키는 공정과, 이 GaAs에피택셜층의 성장을 중단한 상태에서 그 위에 유기금속화학 증착법에 의해 700-750℃의 성장온도에서 델타-도핑하는 공정과, 이후 700~790℃에서 덮개층으로서의 GaAs 에피택셜층을 성장시키는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 실리콘기판상의 성장된 GaAs에피택셜층의 유기금속화학증착법에 의한 델타-도핑형성방법.2. 제1항에 있어서, 상기 완충층으로서의 GaAs 에피택셜층을 3㎛이상의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘기판상에 성장된 GaAs 에피택셜층의 유기금속 화학증착법에 의한 델타-도핑 형성방법.