일반기술

양자세선 레이저 다이오드 제작방법

[구성]본 발명은 양자세선 레이저 다이오드 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 레이저 다이오드들은 활성층으로서의 전류주입을 증가시키기 위하여 레이저 구조 성장 후 비활성층 부분에 대한 이온주입 또는 절연층의 증착과 같은 후속공정을 필요로 하였는데, 이러한 후속공정은 레이저 다이오드의 제작을 복잡하게 할 뿐만 아니라 활성층 내의 광구속(Optical confinement) 계수의 감소로 인하여 레이저 다이오드의 특성을 저하시키는 문제가 있었다. 이에 본 발명은 성장기판의 전도형과 반대 전도형의 에피층을 성장시키고 광리소그래피와 습식식각에 의해 기판 부분까지 V홈 패턴을 형성하여 전류차단층을 형성한 다음 V홈 패턴 위해 AlGaAs/GaAs의 양자세선 구조를 성장시키고 p와 n전극을 형성함으로써, 별도의 후속 공정없이 레이저 구조의 활성층으로만 전류의 유입이 가능하게 하여 낮은 문턱전류를 얻을 수 있는 효과가 있다.1. 기판상에 서로 다른 도전형의 버퍼층고 에피층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 에피층에 V홈 패턴을 형성하여 상기 버퍼층과 에피층인 전류차단층 내에 양자세선 형성영역을 정의하고, 그 상부에 다시 버퍼층을 형성하는 공정과, 상기 V홈 패턴의 저면부에 양자세선 레이저 구조를 형성하는 공정과, 전극형성을 위한 접촉층을 성장시키고 전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 에피층은 기판과 다른 도전형의 에피층을 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 에피층의 V홈 패턴은 광리소그래피와 습식식각에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.4. 제 3항에 있어서, 상기 에피층의 V홈 패턴의 형성을 위한 습식식각은 H2SO4와 H2O2 및 H2O의 혼합 식각용액을 1:8:40의 비율로 하여 식각하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.5. 제 1항에 있어서, 상기V홈 패턴은 버퍼층과 겹치도록 형성하여 즉, 기판의 내부까지 형성되도록 함으로써 V홈 패턴의 바깥부분에 전류차단층이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.6. 제 5항에 있어서, 상기V홈은 중심부근에서 약 1.2㎛의 폭으로 버퍼층과 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.