일반기술
유사위상정합 도파관의 제조방법
해당 기술에따른 유사위상정합 도파관의 제조방법은 강유전체 기판상에 식각용 금속 마스크를 형성하는 단계, 식각 마스크를 이용하여 기판을 식각하는 단계, 식각 마스크를 제거하는 단계, 식각된 기판상에 전도층을 형성하는 단계, 전도층에 전계를 인가하여 분극 영역을 형성하는 단계 및 전도층을 제거하고 기판을 평탄화하는 단계를 포함한다. 따라서, 해당 기술은 LiNbO3, LiTaO3, Mg:LiNbO3 및 Zn:LiNbO3 등과 같은 강유전체 기판을 이용한 다양한 분야로의 응용이 가능하며, 기존 기술에 따른 제조방법에 있어서 발생할 수 있는 문제점들을 미연에 방지하고, 더욱 정밀하고 균일한 고품질의 주기적 도메인 반전 소자를 얻을 수 있으며, 이로 인하여 더욱 가격이 저렴하고 성능이 우수한 비선형 소자의 제작이 유리한 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-04-16
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
발명명칭 정보 없음
출원번호 1020060099615