일반기술

GAAS / ALGAAS 기판을 이용한 양자 세선 제작 방법

본 발명은 GaAs/ AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제작방법은 직접 GaAs 기판위에 V홈을 형성하고 그 위에 에피성장(epitaxial growth)을 실시하여 양자세선을 제작하는데, 상기와 같은 종래 양자세선제작방법은 기판상에 형성되는 V 홈에 의해 에피층의 울퉁불퉁하게 되는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판에 AlGaAs를 한층 더 성장시킨후 V홈을 형성함으로써 보다 효과적으로 양자세선을 형성시키고, 확산제한 용액을 이용하여 마스크없이 양지세선을 보호하면서 윗면 양자우물(top quantum well)을 효과적으로 제거하는 동시에 V홈 형성에 따른 울퉁불퉁한 에피층을 간단하게 평탄화하 수 있도록 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작벙법을 제공하는 것이다본 발명은 GaAs/ AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제작방법은 직접 GaAs 기판위에 V홈을 형성하고 그 위에 에피성장(epitaxial growth)을 실시하여 양자세선을 제작하는데, 상기와 같은 종래 양자세선제작방법은 기판상에 형성되는 V 홈에 의해 에피층의 울퉁불퉁하게 되는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판에 AlGaAs를 한층 더 성장시킨후 V홈을 형성함으로써 보다 효과적으로 양자세선을 형성시키고, 확산제한 용액을 이용하여 마스크없이 양지세선을 보호하면서 윗면 양자우물(top quantum well)을 효과적으로 제거하는 동시에 V홈 형성에 따른 울퉁불퉁한 에피층을 간단하게 평탄화하 수 있도록 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작벙법을 제공하는 것이다1. GaAs기판상에 AlGa층을 성장시키는 공정과, 상기 AsAlGaAs층 위에 원하는 방향으로 포토레지스트패턴을 형성하는 공정과, 포토공정을 통해 상기 AlGaAs층이 형성된 기판상에 V흠을 형성하는 공정과, 상기 V흠 위에 에피성장하여 양자세선을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작방법.2. 제1항에 있어서, 확산제어에칭액으로 윗면 양자우물을 제거하여 양자세선을 평탄화하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작방법.3. 제2항에 있어서 확산제어 에칭액은 H2SO4:H2O2:H2O(30:1:1의 부피 비율)이 사용됨을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법.4. 제1항에 있어서, V홈 형성공정은 기판과 AlGaAs층의 에칭특성각도(C1)가 기판이 파인각도(C2)보다 작게 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법.5. 제1항에 있어서, AlGaAs층의 두께는 상기 V흠 형성에 따른 기판의 식각 두께보다 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법.6. 제2항 또는 제3항에 있어서, 확산제어에칭액이 흐르는 방향에 V흠이 직각되게 기판을 위치시키는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작방법.