일반기술
도전성 페이스트 및 다층 세라믹 기판
해당 기술은 저온 동시소성 세라믹(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramic, 이하 LTCC)의 무수축 소성(Constrained Sintering) 공정 중에 발생하는 비아홀(via hole) 주변의 기공을 감소시킬 수 있는 도전성 페이스트에 관한 것이다. 보다 상세하게는 비아홀이 형성된 다층 세라믹 기판의 비아홀에 충전, 소성되어 사용될 수 있는 도전성 페이스트로서, 평균 입도가 5 ㎛ 이상인 은(Ag) 입자를 포함하여 세라믹 기판과 비슷한 온도에서 페이스트의 수축을 시작하게 하므로 소성 공정 중에 발생하는 비아홀 주변의 기공을 감소시킬 수 있는 도전성 페이스트에 대한 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-04-17
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
발명명칭 정보 없음
출원번호 1020060129245