일반기술

씨모스 이미지 센서 및 이미지 데이타 처리방법(2)

해당 기술은 제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 신호를 출력하기 위한 셀렉트용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS) 및 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 전하를 축적하기 위한 캐패시터를 포함한다. 따라서, 해당 기술에다른 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀은 광전변환이 빠르고 광전 효율이 좋은 플로팅 게이트 및 바디 구조의 Photo-PMOS를 포함하는 구성으로 인하여 저조도의 환경에서도 용이하게 이미지를 획득할 수 있으며, 이와 더불어 고속의 동영상 촬영이 가능할 뿐 아니라, Photo-PMOS의 N-well 외부에 트랜치를 형성하여, 인접한 웰(well) 혹은 인접한 소자간의 절연을 실현할 수 있어 이미지 센서의 단위 픽셀의 피치 사이즈를 최소화하며, 이와 더불어 형성된 트랜치에 캐패시터를 형성함으로써 전하 축적 용량의 향상, 다이나믹 레인지를 넓힐 수 있다.