일반기술
씨모스 이미지 센서 및 이미지 데이타 처리방법(1)
해당 기술은 제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 광전류를 전압으로 변환하기 위한 소스 팔로워용 모스(MOS) 및 상기 리셋용 모스(MOS)와 상기 광전변환용 모스(MOS)의 사이에 위치하여 전류를 축적하기 위한 플로팅 디퓨전 노드를 포함하며, 해당 로우(row)에 선택적으로 전원을 공급하는 방식을 적용하여이미지 데이타를 처리한다. 따라서, 해당 기술은 신호 검출을 제외하고는 오프(off)되어 있으므로 저전력으로 구동이 가능할 뿐만 아니라 기존기술의 암전류가 발생하는 현상을 방지할 수 있어 고감도의 이미지 센서의 구현이 가능하며, 광전변환방식을 적용한 PMOS를 사용하여 이미지 센서의 능동 픽셀을 구현함으로써, 미세한 빛이 존재하는 저조도에서도 고감도를 실현할 수 있으며, 고속의 동영상의 구현을 가능하게 하는 이점이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-04-17
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
발명명칭 정보 없음
출원번호 1020060135847