일반기술

고주파용 유전체 자기 조성물(1)

[구성]본 발명은 더욱 향상된 품질계수(Q), 유전율(K)과 공진주파수의 온도계수(τf)를 얻기 위하여, 90에서 99몰%의 (ZrxSny)TizO4(x+y+z=2, 0.6≤x≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4)를 주성분으로 하는 유전체 자기 조성물에 0.5에서 5.0몰%의 산화마그네슘 및 0.5에서 5.0몰%의 산화탄탈륨 또는 0.5에서 5.0몰%의 산화니오비늄의 복합물이 첨가되고 이에 부가하여 0.75에서 1.5중량%의 산화아연이 가해져 소결된 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다.1. 90에서 99몰%의 (Zr(x)Sn(y))Ti2O4(x+y+z=2, 0.6≤z≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4), 0.5에서 5.0몰%의 산화마그네슘, 0.5에서 5.0몰%의 산화탄탈륨 및 0.75에서 1.5중량%의 산화아연으로 이루어지는 고주파용 유전체 자기 조성물.2. 제 1항에 있어서, (Zr(x)Sn(y))Ti2O4(x+y+z=2, 0.6≤z≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4)의 양이 98.5에서 98몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물.3. 제 1항에 있어서, 상기 산화마그네슘의 양이 1.0에서 1.5몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물.4. 제 1항에 있어서, 상기 산화탄탈륨의 양이 1.0에서 1.5몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물5. 제 1항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 x,y,z가 x=0.8, y=0.2및 z=1.0인 고주파용 유전체 자기 조성물.6. 90에서 99몰%의 (Zr(x)Sn(y))Ti2O4(x+y+z=2, 0.6≤z≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4), 0.5에서 5.0몰%의 산화마그네슘, 0.5에서 5.0몰%의 산화니오비늄 및 0.75에서 1.5중량%의 산화아연으로 이루어지는 고주파용 유전체 자기 조성물.7. 제 6항에 있어서, 상기 (Zr(x)Sn(y))Ti2O4(x+y+z=2, 0.6≤z≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4)의 양이 98.5에서 98몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물.8. 제 6항에 있어서, 상기 산화마그네슘의 양이 0.75에서 1.25몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물9. 제 6항에 있어서, 상기 산화니오비늄의 양이 0.75에서 1.25몰%인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물10. 제 6항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 x,y,z 가 x=0.8, y=0.2및 z=1.0인 고주파용 유전체 자기 조성물.