일반기술

이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이 및 그의 제조방법

해당 기술에따른 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이를 이용한 소자 및 그의 제조방법은 이질접합을 형성하기 위하여 실리콘 기판상에 불순물을 주입하는 단계, 실리콘 기판을 열산화하여 제1열산화막을 형성하는 제1열산화 단계, 제1열산화막을 식각하여 산화막 패턴을 형성하는 단계, 실리콘 기판을 식각하여 컬럼 구조를 형성하는 단계, 컬럼 구조를 이방성 식각하여 나노와이어를 형성하는 단계, 기판을 열산화하여 제2열산화막을 형성하는 제2열산화 단계 및 제2열산화막을 제거하여 릴리즈된 나노와이어를 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 해당 기술은 불순물 주입공정과 열산화 공정의 조절을 통하여 나노와이어의 선폭을 용이하게 설정할 수 있으며, 이로 인하여 다양한 형태를 가지는 이질접합을 갖는 나노와이어를 용이하게 형성할 수 있으며, 바이오 센서, 박막 트랜지스터 소자, 나노전자소자, 광소자 등 다양한 소자에 용이하게 적용가능한 이점이 있다.