일반기술

게이트의 미세구조 패시베이션에 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법

[구성]본 발명은 게이트의 미세구조 패시베이션에 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법에 관한 것으로, 게이트금속의 아래에 미세패턴을 가진 유전체 패시베이션층을 삽입함으로써 MOSFET 및 MODFET와 같은 전계효과트랜지스터의 성능을 개선할 수 있도록 한 것인데, 이는 게이트와 채널사이에 정전용량 커플링이 있는 모든 전계효과트랜지스터 소자에 적용될 수 있으며 게이트 패시베이션을 위해 안티돝 미세패턴을 사용하여 문턱전압 및 트랜스컨덕턴스의 값을 독립적으로 조절할 수 있음을 제시하였다. 또한, 본 발명은 FET 증폭기 설계시, 사용하기 편한 게이트 바이어스전압 영역내에서 트랜스컨덕턴스가 최대치를 중심으로 한 좁은 영역으로 사용이 한정되는 어려움을 극복할 수 있는 방법을 제공하도록 한 것이다.1. 일반적인 MOSFET및 MODFET소자에 있어서, 미세패턴구조의 게이트 패시베이션층을 사용함으로써 문턱전압 및 트랜스컨덕턴스를 독립적으로 조절 할 수 있도록 한 게이트의 미세구조 패시베이션의 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법.2. 제 1항에 있어서, 게이트 패시베이션을 위해 폴리머나 산화막 등의 유전체박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 게이트의 미세구조 패시베이션의 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법.3. 제 1항에 있어서, 게이트 패시베이션층의 주기 및 폭을 각각 300nm로 하는 안티들(또는 그물모양)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 게이트의 미세구조 패시베이션의 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법.