일반기술
단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 박막트랜지스터 및 그 제조방법
해당 기술에따른 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 박막트랜지스터는 절연성 기판상에 박막트랜지스터가 형성되고, 상기 박막트랜지스터의 채널 및 소스/드레인은 단결정 실리콘 나노와이어에 형성된다. 따라서, 해당 기술의 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 박막트랜지스터는 구동 특성이 우수하며, 시스템 대규모 집적화(LSI)를 실현할 수 있으며, 그 형성공정이 저온에서 수행됨으로써, 저온공정이 필수적으로 요구되는 플렉시블 디스플레이에 적용이 용이한 이점이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-04-17
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
발명명칭 정보 없음
출원번호 1020060051745