일반기술

다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법

기판 상부에 완충층과 비정질 실리콘층을 순차적으로 형성하고, 상기 비정질 실리콘층 중앙 상부에 덮개층을 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘으로 결정화시키는 단계와;상기 덮개층을 제거하는 단계와;상기 덮개층이 덮혀져 있던 다결정 실리콘층 상부에 게이트 절연막과 게이트 전극을 순차적으로 형성하고, 상기 덮개층이 덮혀져 있지 않았던 다결정 실리콘층에 불순물 이온을 주입하는 단계와;상기 게이트 절연막 전부와 게이트 전극 일부를 감싸며, 상기 다결정 실리콘층 상부에 층간 절연막을 형성하는 단계와;상기 층간 절연막을 선택적으로 제거하여, 상기 덮개층이 존재하지 않은 다결정 실리콘층의 일부를 노출시키고, 상호 이격된 한 쌍의 개구를 형성하는 단계와;상기 노출된 다결정 실리콘층과 각각 접촉되도록, 상기 한 쌍의 개구에 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하여 구성된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법.