일반기술

고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법

[구성]본 발명은 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법에 관한 것으로, 레이저 홀로그래피법과 습식식각에 의해 단주기 V홈 어레이가 형성된 갈륨비소 기판위에 유기금속화학증착법으로 AlGaAs/GaAs의 양자세선 어레이 구조를 형성하고 불필요한 양자우물층을 제거하며 레이저 발진시 전류를 양자세선으로만 흐르게 하기 위한 전류방지층을 미세패턴된 구조위에 감광막을 이용한 리소그래피 기술을 이용하여 형성함으로써, 낮은 문턱전류와 고출력을 갖는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.1. 기판위에 단주기 양자세선 어레이를 형성하는 공정과, 이후 감광막 마스크를 형성하여 상기 단주기 양자세선 어레이 양쪽 윗부분의 양자우물층을 제거하는 공정과, 이후 전류차단층을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 레이저 홀로그래픽 리소그래픽에 의한 마이크로미터 이하의 주기를 갖는 단주기 V홈 어레이 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 양자세선 어레이는 유기금속화학증착법에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.4. 제 1항에 있어서, 양자우물층의 제거는 감광막을 식각 마스크로 한 습식식각으로써 수행됨을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.5. 제 4항에 있어서, 양자우물층의 제거를 위한 습식식각은 H3PO4와, H2O2및 H2O의 비율을 16:9:75로 하는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.6. 제 1항에 있어서, 상기 전류차단층은 플라즈마화학증착법에 의한 실리콘화산화막(SiO2)를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.7. 제 6항에 있어서, 양자세선 영역의 실리콘산화막(SiO2)의 제거는 리프트 오프 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.