일반기술

저항 변화 메모리 장치용 가변 저항 산화막의 제조방법

□ 기술개요해당 기술은 저항 변화 메모리(resistance memory)를 저렴한 비용으로 신속하게 생산하기 위해서, 저항 변화 메모리 내에 정보 저장용 가변 저항 산화막으로 바이너리 산화물(binary oxide)을 양극 산화법(anodizing)을 이용하여 형성하는 방법에 관한 것이다. 해당 기술에서 양극 산화법은 금속상에 산화제를 두고, 산화제와 금속 각각에 전극을 접촉시킨 후, 전류나 전압을 인가하여 산화제에 접한 전극 주위의 금속이 산화되도록 해서 산화물을 형성한다. 상기 산화물은 가변 저항 산화막으로 기능할 수 한다. 해당 기술에 따라서 제작된 가변 저항 산화막은 기존기술에 증착 방법을 이용하여 제작된 가변 저항 산화막과 유사한 막질을 가지면서도 성장 속도가 더 빠르고, 저비용으로 생산이 가능하다. □ 기술특징저항성 메모리 장치에 사용되는 가변 저항 소자의 제조방법에 있어서,기판상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 금속을 형성하는 단계;상기 금속을 산화시켜서 가변 저항 산화막을 형성하는 단계; 및상기 가변 저항 산화막 위에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법.