일반기술

수소 및 불활성 가스 플라즈마에 의한 양자점 구조의 머큐리카드뮴텔룰라이드 박막을 이용한 적외선 탐지소자 제작방법

□ 기술개요해당 기술은 수소 및 불활성 가스 플라즈마에 의한 양자점 구조의 머큐리카드뮴텔룰라이드 박막을 이용한 적외선 탐지소자 제작방법에 관한 것으로, 기판과 박막의 격자상수차가 5% 내외가 되지 않는 CDTE, CDZNTE, GAAS, SI 등의 기판위에 어떠한 박막 성장방법에 관계없이 HG1-XCDXTE 박막으로 성장시켜 수소 및 불활성 가스를 이용한 플라즈마 방법으로 성장된 HG1-XCDXTE 박막에 양자점을 형성시켜 이를 상온에서 동작할 수 있는 적외선 탐지소자에 적용 제작할 수 있다. 이를 위해 CDTE, CDZNTE, GAAS, SI 기판 중 어느 하나를 이용하여 통상의 박막 생성방법인 LPE, MOCVD 그리고 MBE 방법 중 어느 하나로 성장된 HG1-XCDXTE 박막을 플라즈마가 형성될 수 있는 수소 및 불활성 가스 플라즈마장치 내에 장착시켜 발생되는 가스 플라즈마가 HG1-XCDXTE 박막에 입사되어 상온 동작이 가능한 양자점을 형성하게 되는 양자점 형성과정과, S-K 방법 또는 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법에 의해 생성된 양자점 구조의 HG1-XCDXTE 박막 위에 금속패드를 형성하고 도선을 연결하여 상온 동작이 가능한 적외선 탐지소자를 제작하는 탐지소자 제작과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. □ 기술특징CdTe, CdZnTe, GaAs, Si 기판 중 어느 하나를 이용하여 통상의 박막 생성방법인 LPE, MOCVD 그리고 MBE 방법 중 어느 하나로 성장된 Hg1-xCdxTe 박막을 플라즈마가 형성될 수 있는 수소 및 불활성 가스 플라즈마장치 내에 장착시켜 발생되는 가스 플라즈마가 Hg1-xCdxTe 박막에 입사되어 상온 동작이 가능한 양자점을 형성하되, 성장된 Hg1-xCdxTe 박막을 챔버에 로딩한 후 진공펌프를 이용하여 상기 챔버 내의 진공을 10-4 Torr 내외로 펌핑하고, 로딩홀더의 히터를 이용하여 박막의 온도를 80-100℃로 높혀준 후 가스유입부를 통해 수소 및 불활성가스가 유입되게 하며, 플라즈마 발생코일을 발진시켜 유입되는 가스를 플라즈마 상태의 고에너지로 변환하여 로딩홀더에 놓여있는 Hg1-xCdxTe 박막에 입사시켜 양자점 구조의 Hg1-xCdxTe 박막을 생성하게 되는 양자점 형성과정과,S-K 방법 또는 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법에 의해 생성된 양자점 구조의 Hg1-xCdxTe 박막 위에 금속패드를 형성하고 도선을 연결하여 상온 동작이 가능한 적외선 탐지소자를 제작하는 탐지소자 제작과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소 및 불활성 가스 플라즈마에 의한 양자점 구조의 머큐리카드뮴텔룰라이드 박막을 이용한 상온 적외선 탐지소자 제작방법.