일반기술

저온소결 저손실 고주파 유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법

□ 기술개요해당 기술은 저온소결 저손실 고주파유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기존의 고주파용 세라믹스 조성보다 매우 낮은 소결온도(800 ~ 925℃)이면서도 높은 품질계수(Q×f=12,000∼84,000 GHz)와 유전상수(16≤ε r ≤32) 및 안정된 온도계수 및조성에 따라 다양한 온도보상 특성(τ f = -52 ~ +104 ppm/℃)의 우수한 고주파 유전특성이 ZnO-MO(M=Mg, Co, Ni)-TiO 2 와 같은 저가의 원료로 구현되는 것을 특징으로 하며, Ag이나 Cu 또는 이들의 합금 또는 Ag/Pd 합금을 내부전극으로 사용할 수 있어 각종 고주파용 소자 즉 적층칩 캐패시터, 적층칩 필터, 적층칩 캐패시터/인덕터 복합소자 및 모듈, 저온소결 기판, 공진기 또는 필터 및 세라믹 안테나용 유전체 재료로 사용될 수 있다.□ 기술의 특징해당 기술에 의하면 기존 기술의 유전체 조성물 보다 매우 낮은 소결온도이면서도 높은 품질계수와 유전상수 및 안정된 온도계수 및 조성에 따라 다양한 온도보상 특성의 우수한 고주파 유전특성이 ZnO, MgO, CoO, NiO, TiO 2 등과 같은 저가의 원료로 구현된다. 또한, Ag이나 Cu 또는 이들의 합금 또는 Ag/Pd 합금을 내부전극으로 사용할 수 있어 각종 고주파용 소자 즉 적층칩 캐패시터, 적층칩 필터, 적층칩 캐패시터/인덕터 복합소자 및 저온소결 기판, 공진기 및 필터 또는 세라믹 안테나로 사용될 수 있다. 특히 해당 기술은저온소결 조성물로서 기존 보다 수 배 이상의 월등한 품질계수를 얻을 수 있고, 더욱이 청구되는 조성범위에서 거의 무한대 개수의 우수한 고주파특성을 나타내는 조성의 조합을 얻을 수 있다.