일반기술

광통신용 레이저 다이오드 칩의 제조방법

해당 기술은 광섬유 통신에 이용되는 광원중의 하나인 레이저 다이오드(LD)칩에 관한 것이다. 특히, 해당 기술은칩의 절단 수율을 높일 수 있는 레이저 다이오드칩의 제조방법에 관한 것이다. 해당 기술의 레이저 다이오드 칩 제조방법은 광통신용 레이저 다이오드 칩을 제조하기 위해 (1) 3차 MOCVD 성장이 끝난 n형 InP, p형 InP, n형 InP, p형 InP 및 InGaAs층이 차례대로 적층된 웨이퍼의 표면에 질화박막(Si3N4)을 증착하고, 포토리소그라피 공정으로 V-메사(V-mesa)와 V-그루브(V-groove)를 에칭하기 위해 에칭용 원도우(window)를 열고, 황산, 과산화수소 및 증류수가 혼합된 용액을 이용하여 InGaAs층을 에칭하는 단계(2) 염산계 용액을 이용하여 전류차단층인 InP층을 에칭하는 단계(3) PECVD를 이용하여 질화박막(SiNx)을 증착하는 단계(4) 포토리소그라피 공정으로 전극을 형성하기 위해 전극형성용 윈도우를 열고, 웨이퍼의 표면에 P형 전극을 형성하는 단계(5) 웨이퍼의 뒷면을 연마한 후 뒷면에 N형 전극을 형성하는 단계(6) 전극의 형성이 완료되면 브레이커(breaker)를 이용하여 일정한 크기로 절단하는 단계를 포함한다.