일반기술
길이방향으로 균일성을 갖는 기가비트급 전송시스템용 다중모드 광섬유의 제조방법
해당 기술은수정화학기상증착(MCVD) 공법에 따라, 석영튜브 내부로 SICL4, GECL4 및 POCL3 을 포함하는 원료가스를 산소와 함께 투입함과 더불어 석영튜브의 길이방향으로 열원을 이동시켜 클래드/코어를 증착하는 공정을 포함하는 다중모드 광섬유 제조방법에 관한 것으로서, 상기 석영튜브의 온도분포에 따른 증착 불균일을 보상하도록 매 증착층마다 상기 열원의 초기 가열구간으로부터 후속 가열구간으로 가면서 상기 SICL4, GECL4, POCL3 중 어느 하나 또는 둘 이상에 대한 투입량을 단계적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 다중모드 광섬유 제조방법이 개시된다.해당 기술에 의하면 길이방향을 따라 균일한 코어 직경과 굴절률 분포를 갖는 기가비트급 이더넷용 다중모드 광섬유를 제조할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 광전자
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-07-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
발명명칭 정보 없음
출원번호 1020050029657