일반기술

새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법

해당 기술은 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법에 관한 것으로서, 반사막이나 무반사막을 웨이퍼 상태에서 만들어 다루기 쉽고 스크라이빙(scribing)과 브레이킹(breaking)공정을 한 번만하여 레이저 다이오드 바 상태를 거치지 않고 곧바로 레이저 다이오드 칩으로 만들어 스크라이빙과 브레이킹 공정을 줄인 레이저 다이오드 제작방법을 제공하고자 하는 목적을 가지고 있다. 상기의 목적을 달성하기 위하여 레이저 다이오드 제작공정에 있어서, 웨이퍼 상태에서 수직하게 식각을하여 미러(mirror)면을 만드는 미러면 형성 단계; 상기 미러면에 반사막이나 무반사막을 형성하는 반사막과 무반사막 형성 단계; 전극 형성 단계; 및 스크라이빙과 브레이킹 단계로 이루어진 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법을 제공하며, 반사막이나 무반사막을 웨이퍼 상태에서 만들어 다루기 쉽고 레이저 다이오드 바 상태를 거치지 않고 곧바로 레이저 다이오드 칩으로 만들어 스크라이빙과 브레이킹 공정을 줄여서 공정의 효율이 높아지는 효과가 있다.