일반기술

역메사 리지 웨이브가이드 구조의 분포귀환형 레이저 다이오드

해당 기술에 역메사 리지-웨이브가이드 구조의 분포귀환형 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상기 레이저 다이오드의 구성은 기판에 회절격자가 형성되고, 이 회절격자 위에 가이드층, 이 가이드층 위에 활성층, 이 활성층 위에 제2가이드층, 그 위에 클래드층, 이 클래드층 위에 캡층이 위치하며, 그리고 이 캡층과 클래드층의 일부가 식각됨으로서 리지 부분이 형성되고, 그 위에 전체적으로 증착된 절연층과, 리지 부분 상부의 일부분에서 상기 절연층을 제거하고 금속박막을 증착하여 형성한 p-전극, 그리고 기판에서 상기 구조들이 형성된 면의 반대쪽 면을 래핑한 후 금속박막을 증착하여 형성한 n-전극으로 구성되며, 그 제작 공정에 있어서 회절격자가 활성층 아래에 있을 경우에는 단 한 번의 MOCVD 공정만으로도 제작이 가능하며, 이밖에 회절격자가 활성층 위에 있을 경우에는 두 번의 MOCVD 공정으로 제작할 수 있어, 기존 기술의 매장형 구조의 분포귀환형 레이저 다이오드에 비하여 만들기가 비교적 쉬우며 제작 비용이 절감되는 효과가 있는 것을 특징으로 하는 역메사 리지 웨이브가이드 구조의 분포귀환형 레이저 다이오드에 관한 것이다.