일반기술

오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법

본 발명은 오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법에 관한 것으로, 넓은 에너지 밴드갭(3.6 eV) 구조를 가진 산화인듐(In2O3)박막으로부터 상온에서 안정된 가시광의 발광특성을 나타내어 박막을 형성함으로써 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 하는 방법을 제공하려는 것으로, 열진공증착기를 이용하여 인듐을 증착하는 공정과, 열처리공정에 의하여 미소결정립을 갖는 다결정 산화인듐박막을 형성함으로써 노화 현상없이 안정되고 강한 오렌지색(1.95 eV) 발광특성을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 넓은 에너지 밴드갭 구조를 갖는 절연성 산화인듐 재료로부터 상온 가시광의 발광특성을 나타내는 미소결정립의 다결정구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 광소자에의 응용가능성을 제공할 수 있는 것이다.1. 실리콘, 유리, 수정 및 몰리브덴 중에서 선택되는 어느 하나의 기판 위에 금속인듐을 80~200nm의 두께로 증착시키고, 상기 금속인듐을 증착된 기판을 질소가스분위기에서 500~900℃의 온도범위에서 30분 내지 2시간 동안 후열처리함으로써, 상온에서 안정된 오렌지색(1.95eV)의 발광특성이 있는 40~60nm크기의 미소 결정립을 갖는 다결정 산화인듐 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 오렌지색 발광 산화인듐 박막의 형성방법