일반기술
광섬유 제조방법
해당 기술은 광섬유 제조방법에 관한 것으로서, 특히 클래드층의 증착부피를 낮게 설정하는 것에 의해 생산성을 높일 수 있는 낮은 수산기 이온을 함유한 광섬유를 제조하는 방법에 관한 것이다.이를 위해, 해당 기술은MCVD공정에 사용되는 이동 열원으로서 전기 저항로와 같은 무수소 열원을 사용하고, 광섬유 모재의 중심부 코어층의 증착부피를 클래드층의 증착부피에 대해 1/3이상 그리고 1/1.2 이하로 설정하는 것을 특징으로 한다. 해당 기술의 방법에 의해 제조된 광섬유의 경우, OH-기에 의한 흡수 손실이 1.31㎛에서0.340DB/KM 이하, 1.38㎛에서 0.400DB/KM이하, 1.55㎛에서 0.200DB/KM이하로 나타난다.
기술정보
- 기술분류
- 통신 > 광전송 기술
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-07-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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