일반기술
열방출 구조가 개선된 레이저 다이오드 및 그 제조방법
해당 기술은 열방출 효율을 높일 수 있는 전극 구조를 구비한 레이저 다이오드와 그 제조방법에 관한 것이다.해당 기술에 따르면, 레이저 발진을 일으키는 활성층과, 상기 활성층으로 전류를 주입하기 위한 P형 전극 및 N형 전극을 구비한 레이저 다이오드에 있어서, 패키징시 히트싱크가 부착되는 상기 P형 전극 혹은 N형 전극에 요철구조가 반복적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드가 개시된다.또한, 해당 기술에 따른 레이저 다이오드 제조방법은, 레이저 발진을 일으키는 활성층과, 상기 활성층으로 전류를 주입하기 위한 P형 전극 및 N형 전극을 구비한 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 P형 전극 혹은 N형 전극을 형성하는 공정이, 상기 P형 전극 혹은 N형 전극이 형성될 기판 표면에 마스크층을 증착하는 제1단계; 포토리소그래피 공정과 BOE 식각공정으로 상기 마스크층의 증착막을 일정 패턴으로 제거하여 마스크를 형성하는 제2단계; 상기 마스크를 통해 노출되는 부분을 식각하여 기판 표면에 요철구조를 형성하는 제3단계; 상기 마스크를 제거하는 제4단계; 및 상기 요철구조에 대응하는 굴곡을 갖는 전극이 형성되도록 상기 요철구조 위에 전극물질을 증착하는 제5단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 에너지·자원 > 기타 에너지 절약 기술
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-07-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
발명명칭 정보 없음
출원번호 1020050016160