일반기술
칩 인덕터 제조용 페라이트
<목적>소성온도를 900 도C 이하로 낮추어 내부도체로 은을 사용할 수 있는 인덕터 제조용 페라이트를 제조하기 위함이다. <구성>이 페라이트는 Fe2O3 48.5-50.5 몰퍼센트, NiO 5-30 몰퍼센트, CuO 5-15몰퍼센트, ZnO 5.5-35.5 몰퍼센트의 조성으로 되어 있다1. Fe2O3 48.5~50.5몰%, NiO 5~35몰%, CuO 5~15몰% 및 ZnO 5.5~35.5몰%로 이루어진 칩 인덕터 제조용 페라이
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전자제품
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-01-17
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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