일반기술

고주파 대역 이엠아이 (EMI) 노이즈 파이 (PI) 필터

<목적>고손실 페라이트와 유전체를 동시에 소성하여 고주파 대역에서 높은 전자 감쇠능을 갖는다. <구성><(Fe2O3)x(NiO)y9ZnO)w(CuO)z로 표시되는 고손실 Ni-Cu-Zn 페라이트 위에 은전극과 유전체, 페이스트로 이루어진 유전체 전극을 형성하여 900-950도(섭씨)에서 동시 소성하여 고주파 대역 이엠아이필터를 만든다.1. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z로 표시되는 고손실 Ni-Cu-Zn 페라이트 위에 은전극과 유전체 페이스트로 이루어진 유전체 전극을 형성하여 900-950℃에서 동시 소성(co-firing)함을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 파이(Pi)필터:상기식에서 x=49y=9-25w=20-35z=5.7(단, x,y,w,z=mol%)2. 제1항에 있어서, 유전체 페이스트의 조성은 (TiO2)100-x(CuO)x계를 기본 조성으로 할 때 x는 1≤x≤5의 범위이고, 여기에 첨가재로서 SiO2 및 MnO2가 각각 1wt% 이하로 첨가됨을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 파이(Pi)필터.