일반기술

저온소결 페라이트의 제조방법

본 발명은 저온소결 페라이트의 제조방법에 관한 것으로 특히 하소된 페라이트 분말에 별도로 혼합 및 열처리를 행한 저온소결용 액상형성조제를 첨가하여 소결함으로써 가능하면서도 내부전극과의 반응이 없는 페라이트 소결체를 제조하는 방법에 관한 것이다.최근, 컴퓨터산업 및 전자통신산업들에 사용되는 주요부품들은 전자화로l 집적화, 고성능화에 대응하기 위하여 소형화 및 칩화의 추세로 나아가고 있으며, 이를 수용하기 위하여 표면상장기술의 이용이 날로 확대되고 있는 실정이다.이와 같이 칩화되고 있는 많은 전자부품중에서 페라이트를 사용하고 잇는 부품의 수가 증가되고 있는데, 페라이트를 사용하고 있는 부품의 대표적인 예로는 노이즈필터(noise filter),인덕터(inductor)등이 알려지고 있다. 페라이트는 그 조성에 따라 다소의 차이가 있긴 하나 대략 1200~1300℃ 온도에서의 소결을 통해 제조되고 있다.한편,페라이트 재료를 사용하고 칩부품을 제작함에 있어서는 페라이트 내부로 전극이 통과하여야 하므로 페라이트의 조성과 소결조건등은 전극의 선정에 매우 중요한 역할을 하게 된다. 칩부품의 제조를 위해 전극과 세라믹을 동시에 소결하는 경우로서 우수한 전기적 특성을 갖는 칩부품을 열기위해서는 다음과 같은 문제점이 고려되어야 한다.첫째, 내부전극의 산화환원반응으로 인한 부피변화로 전기 전도성과 구조적 결합의 발생,화학반응등의 문제점.둘째, 동시소결시 전극과 세라믹간의 수축을 차이로 인한 박리(delamination)의 문제점.셋째,내부전극과 세라믹간의 화학반응으로 인한 체면에서의 새로운 상의 생성이나 상호확산으로 인한 특성저하의 문제점.1.하소된 페라이트 분말에 Bi2O3와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킨 백상형 성조제를 첨가하여 소결함을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.2.제1항에 있어서, 액상형성조제의 Bi2O3와 다른 산화물의 분율은 상태도상 액상선온도가 750~850℃사이인 조성인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.3.제2항에 있어서,다른 산화물은 CeO2,ZrO3,TiO,SiO3,MgO,CuO,CaO,BaO,Al3O3 또는 SnO인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.