일반기술
플로린을 함유한 광소자용 폴리아릴렌에테르 설폰 및 폴리아릴렌에테르 설파이드
광도파로용 소자로 적합한 유기물질 중 폴리이미드가 대표적인데 이는 열적 안정성이 뛰어나지만 복굴절이 높고 광손실이 심한 한계를 갖으며, 폴리아릴렌에테르(PAEs)는 폴리이미드에 비해 물성이 비슷하면서 상대적으로 소자 제작에 유리하여 플로린을 포함한 PAEs나 폴리이미드는 광소자 장치를 만들 때 제조 공정이 까다롭다는 단점을 가지고 있다. 따라서 플로린으로 치환된 설폰 및 설파이드 단위체 및 디하이드록시 단위체와 축합반응을 통해 제조가 용이하고 최종 고분자의 광손실을 감소시킬 수 있는 고분자를 제조하게 되었다. 화학식1의 펜타플루오로페닐설파이드 또는 펜타플루오로페닐설폰 단위체 및 9,9`-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌, 2,2`,3,3`,5,5`,6,6`-옥타플루오로-4,4`-바이페놀하이드레이트, 4,4`-이소프로필렌다이페놀 또는 4,4`-(헥사플루오로이소프로필리덴)다이페놀(6F-BPA)에서 선택된 하나의 하이드록시 화합물의 축중합반응으로 구성된 플루오로로 치환된 폴리아릴렌에테르설파이드 유도체 또는 폴리아릴렌에테르 설폰 유도체의 제조방법으로 열적 안정성은 폴리이미드와 비슷하며 광손실 및 복굴절은 폴리이미드보다 낮은 플로린 함유 설폰 및 설파이드 고분자를 합성한다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 고분자재료
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-06-25
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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