일반기술

평탄화 방법

본 기술은 복수개의 메탈층을 형성시킨 다층 배선 구조에서 하부층의 패턴 형성에 의하여 발생되는 단차를 감소시켜 상부층의 단선 방지 및 신뢰성을 향상시키기 위한 평탄화 방법에 관한 것이다.일반적으로 다층 배선 구조를 갖는 실리콘 웨이퍼에서 하부층의 패턴 형성에 의한 단차 발생에 의하여 상기 하부층상에 형성되는 상부층의 배선 구조 예를 들면 메탈층은 단선되며 또한 이러한 실리콘 웨이퍼를 사용하는 제품의 신뢰성을 저하시키게 된다. 또한 메탈층의 패턴 형성에 의하여 생성된 상기 절연층의 단차는 높은 점도를 갖는 상기 감광층의 최종 형상에 의존하게 되고 또한 상기 절연층의 단차를 완화시키기 위하여 상기 절연층상에 감광층을 형성시킨 후 상기 반응성 이온 식각 공정에 의하여 상기 절연층 및 감광층을 다수 에칭 백시킴으로서 많은 식각 공정 시간을 요구한다는 문제점이 발생된다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 기판상에 소정 형상으로 패터닝된 메탈층을 형성시키는 제1단계와, 상기 기판상에 절연 물질을 적층시켜서 절연층을 형성시키는 제2단계와, 이온 주입 공정에 의하여 상기 절연층에 이온 주입층을 생성시키는 제3단계와, 상기 이온 주입층상에 포토 레지스트를 도포시켜서 형성된 감광층을 패터닝시키는 제4단계와, 상기 감광층의 패턴을 통하여 노출된 상기 이온 주입층의 일부를 식각시켜서 상기 메탈층을 노출시키는 제5단계와, 상기 이온 주입층상에 잔존하는 감광층을 제거하여 상기 이온 주입층을 노출시키는 제6단계와, 상기 노출된 이온 주입층상에 포토레지스트를 재차 도포시켜서 감광층을 형성시키고 에치 백 공정을 수행하는 제7단계로 이루어지면 이에 의해서 상기 하부층상에 형성되는 상부층의 단락을 방지시킬 수 있고 또한 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있다본 기술은 복수개의 메탈층을 갖는 실리콘 웨이퍼의 다층 배선 구조에서 하부층의 패턴 형성에 의하여 생성된 단차를 완화시키기 위한 식각 공정 시간을 단축시킬 수 있을 뿐만 아니라 제조 단가를 저렴화 시킬 수 있는 평탄화 방법을 제공하는 데 있다