일반기술

평탄화 방법

본 기술은 복수개의 메탈층을 형성시킨 다층 배선 구조에서 하부층의 패턴 형성에 의하여 발생되는 단차를 감소시켜 상부층의 단선 방지 및 신뢰성을 향상시키기 위한 평탄화 방법에 관한 것이다.다층 배선 구조를 갖는 실리콘 웨이퍼에서 하부층의 패턴 형성에 의한 단차 발생에 의하여 상기 하부층상에형성되는 상부층의 배선 구조 예를 들면 메탈층은 단선되며 그 결과 이러한 실리콘 웨이퍼를 사용하는 제품의 신뢰성을 저하시키게 된다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 실리콘 웨이퍼상에 소정 형상으로 패터닝된 메탈층을 형성시키는 제1단계와, 상기 메탈층상에 실리콘 산화물(SiO2)을 소정 두께로 적층시켜서 절연층을 형성시키는 제2단계와, 상기 절연층상에 시드층을 형성시키는 제3단계와, 상기 시드층상에 포토레지스트를 도포시켜서 형성된 감광층을 패터닝시키는 제4단계와, 상기 감광층의 패턴을 통하여 노출된 상기 시드층상에 전도층을 형성시키는 제5단계와, 제1차 건식 식각 공정에 의하여 상기 시드층상에 잔존하는 감광층의 일부를 제거하여 상기 시드층을 부분적으로 노출시키는 제6단계와, 2차 건식 식각 공정에 의하여 상기 시드층 및 절연층의 일부를 제거하는 제7단계와, 습식 식각 공정에 의하여 상기 전도층 및 시드층을 제거하는 제8단계와, 그리고, 3차 건식 식각 공정에 의하여 상기 절연층을 제거하여 상기 실리콘 웨이퍼 상에 균일한 평면을 제공하는 제9단계로 이루어지며 이에 의해서 상기 실리콘 웨이퍼상에 메탈층이 노출된 평탄한 표면 상태의 절연층을 제공하며 그 결과 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있다본 기술은 다층 배선 구조를 실비한 실리콘 웨이퍼의 하부층의 패턴 형성에 의하여 형성되는 단차를 효율적으로 완화시킬 수 있으므로 상기 하부층상에 형성되는 상부층 특히 메탈층의 단락을 방지시킬 수 있으며 이에 의하여 상기 실리콘 웨이퍼의 신뢰성을 향상시킬 수 있다