일반기술

이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

본 기술은 선택적 재결정 성장된 에미터 구조의 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transister : HBT)의 제조방법에 관한 것이다.HBT의 가장 중요한 속도특성인 최대동작 주파수(Maximum Oscillation Frequencyifmax)를 향상시키기 위해서는 베이스 저항을 줄여야 한다. 기존의 기술은 베이스 불순물 농도가 높아야 하나 베이스 불순물 농도가 증가할 경우 베이스 내에서 전자의 생존시간이 짧아져서 트랜지스터의 전류이득이 감소하게 된다. 또 다른 방식으로 베이스 두께를 늘리는 방법이 있는데 이는 역시 전자가 베이스를 통과하는 시간을 증가시켜 트랜지스터의 전류이득을 감소시키게 되므로 최대동작 주파수를 감소시키는 결과를 초래하게 되는 문제점이 있다. 본 기술은 베이스 저항을 줄여 HBT의 속도특성을 향상시킴에 있어 HBT의 전류이득을 감소시키지 않고 베이스 접촉 및 스프레딩 저항성분을 동시에 줄일 수 있도록 함을 목적으로 한다.본 기술은 화합물 반도체 초고속 소자인 HBT의 베이스 구조를 외부베이스와 내부베이스로 구분하여 반도체 에피결정 성장기술의 일종인 선택적 재결정성장(Selective- area regrowth)기술을 에미터 구조에 응용하여 베이스 저항을 감소시키게 함으로써 HBT의 속도 특성을 향상시키도록 하는 것이다. 이와같이 제조되는 HBT는 수십 또는 수백 GHz의 마이크로웨이브 또는 밀리미터웨이브 주파수 대역에서 동작하는 초고속 전자소자의 일종으로서 Gbps급 데이터를 처리하는 초고속 광정보통신용 집적회로와 수십 GHz 대역의 마이크로웨이브 또는 밀리미터웨이브를 이용한 무선통신용 마이크로웨이브 집적회로(MMIC)의 제작에 널리 응용되고 있고, HBT를 이용한 광정보통신 및 무선통신용 집적회로 기술을 차세대 초고속 정보통신용 시스템기술의 개발을 위한 핵심기술로 응용되고 있다