일반기술

강유전체 게이트를 가지는 전계효과트랜지스터를 이용한 불휘발성 기억소자 및 그 제조방법

본 기술은 강유전체 게이트를 가지는 전계효과트랜지스터를 이용한 불휘발성 기억소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 반도체 표면에 CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt 이중막을 형싱시키고, 이중막의 강유전체인 SrB2Ta2o9 막상에 백금전극을 부착하며, CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt의 삼중층 주위에 산화방지막을 도포하여 형성되는 게이트를, 전게효과트랜지스터의 게이트로 이용함으로써, 캐패시터가 필요없는 강유전체게이트를 가지는 전계효과트랜지스터(FET) 기억소자를 제공할 수 있다.본 기술에 따르면, 자연산화규소막의 영향을 최소화하여 제조공정시 산소 및 수소열처리에 따른 특성열화를 막을 수 있으며, 전원공급이 끊어져도 지속적으로 정보를 저장할 수 있는 불휘발성기억소자이므로 반도체 기억소자 및 정보저장소자로 이용될 수 있다본 기술은 CeO2 및 강유전체의 정전용량비를 제어하여 강유전체에 걸리는 전계효과를 극대화하고, 자연산화막의 악영향제거할 수 있으며, 텅스텐질화막(WN)을 게이트구조에 도포하여 추가산화막 및 산소, 수소열처리영향을 막음으로써 전기적특성의 열화를 방지할 수 있다