일반기술
헬릭스코일을 이용한 헬리컬 공진기형식각기의 플라즈마 균일도 조절 방법
본 기술은 반도체 주요 공정장비 중의 하나인 반응성 이온 식각 장비인 차세대 고성능 식각기로 연구되고 있는 헬리킬 공진기형 식각기에서 (2n+1)/4 파장길이의 헬릭스코일을 이용하여 반응로 내부의 플라즈마 균일도를 조절하는 방법에 관한 것이다.본 기술은 고효율의 고밀도 플라즈마를 비교적 쉽게 얻을 수 있는 헬리컬 공진기형의 식각기에 대해 (2n+1)/4 파장길이의 헬릭스 코일을 사용하여 탭 위치변화에 따라 공진기 내의 전자장 및 플라즈마 밀도 분포를 임의로 변화시킴으로써 기존의 평행 평판형 식각기에서는얻기 힘들었던 높은 균일도의 플라즈마를 얻을 수 있다.본 기술은 (2n+1)/4 파장길이의 헬릭스 코일을 갖는 헬리컬 공진기형 식각기에서 기타 식각 공정 변수들의 변화에 대응하여 적절한 탭 위치를 선택함으로써 차세대 대구경 웨이퍼 사용시에 요구되는높은 식각 균일도를 얻을 수 있다
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-05-15
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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