일반기술

단일 전압형 PHEMT

이동통신에 사용되는 휴대용 단말기에는 소비전력을 감소시키기 위해서 우수한 선형성을 가지면서도 제품의 신뢰성을 확보할 수 있는 전력증폭용 소자가 요구되는데, AlGaAs/InGaAs 계면의 에너지 밴드갭을 이용하는 이종접합 구조의 부정형 고전자 이동도 트랜지스터(PHEMT)가 선형성 및 신뢰성이 우수한 것으로 알려져 있다. 하지만, 기존의 PHEMT는 통상적으로 이중전압으로 구동되기 때문에 바이어스 회로가 필요하고 그에 따른 주변 회로 매칭용 수동부품이 요구되므로 생산비 절감, 생산수율의 증대 및 휴대용 단말기를 소형 경량화 하는데 어려운 문제점이 있다. 또한, 단일전압으로 구동하기 위해서는 채널층을 얇게 형성하여야 하는데 이는 디지털 변조방식에서 요구하는 선형특성을 만족시키지 못하게 된다.본 기술에서는 반절연성 기판에 완충층, 전자공급층, 전도층, 공핍층 및 표면층을 순차 적층하고, 표면층의 일부를 제거하여 공핍층의 일부를 노출되게 한 후 공핍층에 게이트전극을 형성하고, 표면층에 소오스 또는 드레인 전극으로 사용하는 오믹 전극을 형성하여 단일 전압형 PHEMT를 제조함으로써 단일 전압에서 우수한 선형특성 및 고효율성을 동시에 만족할 수 있게 하였다.본 기술에 따르면 반절연성 기판의 상부에 형성된 완충층, 제1전자공급층, 제1전도층, 제2전자공급층, 제2전도층, 제3전자공급층, 공핍층 및 표면층이 순차적으로 적층되고, 표면층의 일부가 제거되어 공핍층의 일부가 노출되고, 노출된 공핍층의 상부에 게이트 전극을 형성하되 게이트 전극의 양측에 잔류하는 표면층의 상부에는 소오스 또는 드레인 전극으로 사용되는 오믹 전극을 형성한 구조의 단일 전압형 PHEMT를 제조함으로써 단일 전압으로 구동하면서도 우수한 선형특성과 출력효율을 얻을 수 있고 디지털 변조방식의 휴대용 단말기에 전력증폭소자로 사용하면 휴대용 단말기를 소형 경량화할 수 있으며 제조원가를 절감할 수 있다.