일반기술

SiGe HBT 제작 기술

본 기술은 SiGe HBT 소자의 설계, 제작, 측정, 파라미터추출과 관련한 제반 기술에 관한 것으로, 하나의 RPCVD 시스템으로 콜렉터, 베이스, 에미터를 증착하고, SiGe-Si 이종접합 베이스와, IDP(In-situ Doped Poly) 에미터와 자기정렬 Ti-실리사이드, MOS 구조로 구성한다. SiGe HBT 소자의 사양은 1. ft > 25 GHz (on wafer) 2. fmax > 25 GHz (on wafer) 3. 전류이득 > 100 4. 포화 콜렉터 전류 < 100 mA 5. Early voltage > 50 V 6. 항복전압(BVceo) > 3.0 V 으로 한다.본 기술은 화합물 반도체에 비하여 생산단가가 저렴하며, 임계주파수, Early 전압 등 독작특성에 탁월하며, 저항이 낮고, 에미터-베이스 접합특성이 우수하며, 베이스의 저항이 낮고 균일성이 높으며, 공정이 간단하여 생산 단가가 더욱 저렴하며, 기존 실리콘 MOS 라인에서 쉽게 양산화가 가능하다.