일반기술

양자점 트랜지스터 제조방법

본 기술은 자발형성된 양자점을 이용하여 상온에서 동작하는 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.종래 양자점 트랜지스터 제조방법은 양자점을 형성하기 위해 반드시 기판의 일부를 식각하는 식각공정을 사용함으로써, 기판에 손상을 주어 양자점 트랜지스터의 특성을 저하시키는 문제점과 공정단계가 복잡하여 제조 비용이 증가하는 문제점이 있었다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 식각공정을 사용하지 않고 양자점을 형성할 수 있는 양자점 트랜지스터 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.본 기술은 양자우물(quantum well)의 리소그라피(lithography) 패턴을 이용한 레이저 홀로그래픽 리소그라피 또는 전자선 리소그라피 및 플라즈마식각이나 활성이온식각(reactive ion etching)에 의한 양자점이 아닌, MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition), MBE(molecular beam epitaxy), LPCVD(low pressure chemical vapor deposition)등의 양자점 성장기법에 의해 자발형성된(self-assembled) 반도체 양자점들을 이용하여 트랜지스터를 제작한다.본 기술은 30nm 이하의 간격을 가지는 두 개의 금속전극을 자발적으로 형성된 반도체 양자점에 정렬 및 증착하여 소스와 드레인 전극으로 사용하고, 두 전극 사이의 양자점에서 0.5μm이상 떨어진 지점에 소스 및 게이트를 동시에 증착된 또 다른 금속 전극을 게이트 전극으로 사용함으로서, 기판에 손상을 주는 복잡한 리소그라피 식각등의 공정을 생략할 수 있는 장점이 있다.