일반기술

하나의 트랜지스터를 사용한 메모리소자 및 그 제조방법

본 기술은 저장된 데이터를 파과하지 않고 판독해낼 수 있는 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.현재까지 비파괴판독형 FRAM(불휘발성 기억소자)는 1개의 트랜지스터 만으로 정보를 읽고 쓰는 방법과 회로의 구성 및 소자의 구조에 대해 완성된 기술이 없었다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 형 또는 n형 우물구조의 영역안에 형성된 소오스, 드레인, 강유전체 게이트로 구성된 하나의 트랜지스트를 사용하여 정보를 읽고 쓸수 있는 회로제조기술을 제공함에 그 목적이 있다.본 기술은 기초단위소자의 게이트(Gate)와 p형 우물구조를 정보를 입력 또는 기억시키기 위한 회로를 구성하고, 소오스와 드레인은 데이터를 출력 또는 읽기 위한 회로로 구성하여, 각각 2개씩의 읽기 및 쓰기 단자를 통해 정보를 입출력하는 회로를 포함하도록 한다. 즉, Si기판에 p형 또는 n형 우물구조를 형성시키고, p형 또는 n형 우물구조 내에 소오스와 드레인을 제조한 후 게이트를 구성하도록 제조하여 쓰는 회로와 읽기 회로를 분리하여 트랜지스터들로 구성된 셀구조에서 저장된 정보를 파괴하지 않고 정보의 입출력을 병행할 수 있는 회로기술이다.본 기술은 4개의 단자를 독립적으로 쓰기용 비트라인은 게이트, 쓰기용 워드라인은 우물구조기판, 읽기용 워드라인은 소오스, 읽기용 비트라인은 드레인으로 구성되어 오류없이 1개의 트랜지스터만으로 비파괴적으로 정보를 읽기 및 쓰기를 반복할 수 있는 회로기술로 측면확산을 없애 공정이 용이하고, 고집적화를 이룰 수 있다.