일반기술

금속전극 패턴 최적화를 통한 태양전지 효율개선방법

본 기술은 반도체를 이용한 태양전지 제조시 금속전극형태를 최적화하여 태양전지의 효율을 증가시키는 방법에 관한 것이다.종래기술에는 산화물이나 수산화물(소석회)에 폐신문용지인 셀룰로오스섬유를 보강한 후 이산화탄소 기체를 침투시켜 탄산염 건축재료를 만들어 석면-시멘트를 대신해서 사용하였으나, 보강재로서 폐신문용지인 셀룰로오스섬유를 사용함으로서 내구성과 강도가 약한 문제점이 있다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 내구성과 강도가 증가된 석회건축재를 제조하는 방법을 제공함에 그 목적이 있다.본 기술에 의하면 반도체를 이용한 태양전지 제조시 광전변화효율을 향상시키기 위해, 태양광이 입사되는 전면의 금속전극형태를 속가락 모양의 그리드로 제작하되, 그리드의 폭을 0.1 ~ 1μm로 하고 그리드의 수는 금속전극전체의 면적이 태양전지 전체 면적의 8 ~ 10%가 되도록 정하고, 그리드와 그리드 사이의 간격을 일정하게 하며, 그리드와 그리드를 연결하는 연결선이 가로의 그리드선과 정중앙으로 병렬의 형태로 연결되도록 설계함으로써 태양전지의 광전변환효율을 극대화시키는 금속전극패턴 최적화를 통한 태양전지의 효율을 개선할 수 있다.본 기술은 그리드폭, 그리드간격에 따른 직렬저항 및 수광면적비의 변화에 따른 변환효율을 제공하며, 그리드폭은 0.1 ~ 1μm, 그리드의 수를 조절하여 수광면적이 89.5%일 때 가장 좋은 특성을 얻을 수 있다.