일반기술

패턴된 기판을 이용한 양자세선 제작방법

본 기술은 양자세선의 폭,두께 및 에너지 갭을 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다.종래기술에 의한 양자세선 제작시, 양자세선의 모양이 초승달 모양이 되어 수평방향의 광구속 효율이 떨어지고, 다층의 양자세선 제작하면 위쪽으로 올라갈수록 크기가 달라지는 문제점이 있다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 사각형 모형의 양자세선을 얻어, 수평방향의 광구속 효율이 증가하는 양자세선 제작방법을 제공함에 그 목적이 있다.본 기술에 의하면 Ga(갈륨) 원자가 Al(알루미늄)원자보다 확산이 잘 되는 특징을 이용하여, V 또는 U 자형 홈이 파진 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착법(MOCVD) 방법으로 GaAS/AlGaAs 다층에피층 성장시킴으로써 양자세선의 두께 및 폭을 정확하게 조절할 수 있다.본 기술은 양자구속 효율이 우수한 1차원적 양자구속조건을 형성하며, 양자세선의 폭 및 에너지 갭을 정확하게 조절하므로써, 기존 구조보다 더 우수한 특성을 갖는 양자세선을 제작할 수 있는 특징이 있으며, 양자세선의 두께 및 폭을 자유롭게 조절 할 수 있는 기술을 이용하여 낮은 문턱전류의 레이저 다이오드( low threshold current laser diode)나 낮은 도파 손실의 광도파로(optical wave guide)등의 제작에 응용할 수 있다.