일반기술

저온 팔라듐/게르마늄 옴 전극을 이용한 자기정렬 게이트 트랜지스터 소자의 제조방법

무선 통신 서비스를 위한 주파수 대역이 점차 고주파화 됨에 따라 통신용 소자 제작공정은 점차 복잡하고 어려워진다. 특히 고주파 대역의 통신용 증폭소자로 사용되는 부정규형 고정자 이동도 트랜지스터(PHEMT) 소자에서 소오스(source), 게이트(gate), 드레인(drain) 전극 형성 기술은 소자의 전기적 특성 및 주파수 특성을 좌우하는 핵심 공정이다. 기존의 PHETM 소자는 소자 분리를 위한 메사 에칭(mesa etching) 후 소오스, 드레인, 옴 금속을 증착하고 옴 접촉 형성을위한 열처리를 한 후 게이트 전극을 형성함으로써 제작되는데, 이러한 공정에서는 소오스, 드레인 옴전극 형성 후, 단차가 생긴 기판에 미세한 게이트 패턴을 형성해야 하므로 게이트의 미세패턴 형성이 어렵고 공정의 재현성이 떨어지는 문제점이 있었다.본 기술에서는 게이트 전극을 제작한 후에 팔라듐(Pd)과 게르마늄(Ge)을 차례로 증착하고 열처리하여 옴 전극을 형성하는 자기정렬 게이트 트랜지스터 소자를 제조하여 게이트 전극의 정렬도를 향상시키고 게이트 전극 패턴을 더욱 미세하게 형성할 수 있게 하였다.본 기술에 따르면 게이트 전극을 제작하고, 팔라듐을 100 내지 3000Å의 두께로 증착하되 게르마늄을 200 내지 6000Å의 두께로 순차 증착한 후 200 내지 325℃에서 10초 내지 20분 동안 열처리하여 옴 전극을 형성하도록 하였기 때문에 보다 미세한 패턴으로 자가 정렬된 게이트 전극을 갖는 PHEMT 소자를 제조할 수 있고 제조한 PHEMT 소자는 접촉저항 및 주파수 특성이 향상되어 통신용 소자 등에 유용하게 사용할 수 있다.